导语：

2026年10月30日，第三届中欧科学家论坛在德国法兰克福举行。王玮教授围绕面向高密度三维集成的纳米硅通孔技术主题发表演讲。   

嘉宾简介：王玮,北京大学集成电路学院副院长、微米纳米加工技术全国重点实验室主任,微米纳米技术学会副秘书长、国家集成电路标准委员会委员MEMS 工作组组长、特种元器件标准委员会委员微系统专项组组长,领域内期刊副主编和多个领域系列重要国际会议技术委员会委员。长期从事微米纳米加工技术,特别是基于硅通孔(TSV)的三维集成与芯粒集成前沿技术研究,以及微纳流控技术研究。发表领域重要期刊和国际会议论文 200 余篇,授权、申请发明专利及软件著作权 50 余项,包美国授权专利 2 项;获辽宁省科技进步一等奖、中电科科技进步三等奖、日内瓦发明展特别嘉许金奖等奖励。

主要内容：

演讲围绕纳米硅通孔（nTSV）技术在高密度三维集成中的应用，介绍先进微纳制造技术的发展趋势、关键工艺挑战及人工智能辅助制造的新思路。

随着集成电路技术不断向更高集成密度、更高性能和更低功耗方向发展，三维集成与异构集成已成为突破传统二维芯片集成限制的重要技术路径。硅通孔（Through-Silicon Via，TSV）作为实现芯片垂直互连的关键技术，在三维集成系统中发挥着重要作用。然而，传统微米尺度硅通孔正逐渐成为进一步提升互连密度的技术瓶颈。纳米硅通孔技术为实现更高密度的三维异构集成提供了新的可能，但通孔尺寸持续缩小也带来了高深宽比刻蚀、界面应力、阻挡层失效及金属填充等制造与可靠性挑战。报告将重点介绍纳米硅通孔的关键科学问题与制造技术，包括纳米尺度界面行为、低侧壁粗糙度的高深宽比刻蚀工艺，以及金属化过程的精确调控。此外，报告还将探讨物理模型与人工智能相结合的工艺预测和逆向设计方法，为复杂微纳制造过程的智能优化提供新的研究思路。

主要观点：

纳米硅通孔技术是推动高密度三维异构集成的重要技术方向。通过突破纳米尺度制造和界面可靠性等关键问题，并引入人工智能辅助工艺设计，有望推动微纳制造从经验驱动向模型驱动和智能化制造转变。

（文 安昱霖 ）